型号:

MTD3055V

RoHS:无铅 / 符合
制造商:Fairchild Semiconductor描述:MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
详细参数
数值
产品分类 分离式半导体产品 >> FET - 单
MTD3055V PDF
产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing
标准包装 1
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 12A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C 150 毫欧 @ 6A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大) 4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 17nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 500pF @ 25V
功率 - 最大 1.5W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
供应商设备封装 TO-252-3
包装 剪切带 (CT)
其它名称 MTD3055VCT
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